A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A09K
Package Outline Dimensions
DIM
Min
Inches
Max
Millimeters
Min Max
DIM
Min
Inches
Max
Millimeters
Min Max
A
0.086
0.094
2.18
2.39
e
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A1
b
-
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-
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H
L
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b2
b3
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c
c2
D
D1
E
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-
L3
L4
L5
θ 1°
θ °
-
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-
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-
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-
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10°
15°
-
Suggested Pad Layout
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ZXMN10A09K
Document Number DS32045 Rev. 7 - 2
5.8
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7 of 8
www.diodes.com
1.6
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0.243
mm
inches
January 2010
? Diodes Incorporated
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ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件